BSS138 RFG
Número de Producto del Fabricante:

BSS138 RFG

Product Overview

Fabricante:

Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza:

BSS138 RFG-DG

Descripción:

50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW
Descripción Detallada:
N-Channel 50 V 260mA (Ta) 357mW (Ta) Surface Mount SOT-23

Inventario:

56056 Pcs Nuevos Originales En Stock
12989122
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

BSS138 RFG Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
50 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
260mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 260mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.6V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
32 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
357mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
1801-BSS138TR
1801-BSS138RFGCT
1801-BSS138RFGTR
1801-BSS138CT-DG
1801-BSS138CT
1801-BSS138TR-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
goford-semiconductor

GT105N10K

MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252

epc

EPC2306

TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN

littelfuse

LSIC1MO170E0750

SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3

infineon-technologies

IMT65R039M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET